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        2024中國深圳國際半導體及應(yīng)用展會|華南第三代半導體展覽會

        發(fā)布者: 念著倒嘛干 | 發(fā)布時間: 2024-10-11 00:44 | 查看數(shù): 188| 評論數(shù): 0

        2024中國深圳國際半導體技術(shù)及應(yīng)用展會|華南第三代半導體展覽會

        China(Shenzhen) International Semiconductor Exhibition 2024

        時 間:2024年12月4~6日

        地 點:深圳國際會展中心(寶安)

        發(fā)展前景:

        為了更好的推動半導體行業(yè)的發(fā)展,在得到國家各級主管部門的大力支持下,2024中國(深圳)國際半導體展覽會將于2024年12月4-6日在深圳國際會展中心(寶安新館)隆重舉行。本次大會將以“突出品牌、開拓創(chuàng)新、注重實效”的辦展宗旨,憑借獨特的創(chuàng)意,科學合理的整合傳播和卓越的服務(wù),以全新的理念為廣大參展商提供一個“高水準、高品位、高質(zhì)量”的展示交流舞臺,打造集半導體行業(yè)最具規(guī)模,最有價值和最具權(quán)威的頂級盛會,本次展會期待您的參與。

        詳詢主辦方劉先生(同微)

        130(前三位)

        2313(中間四位)

        0315(后面四位)

        2024中國(深圳)國際半導體展覽會將集中展示半導體行業(yè)及應(yīng)用的*新產(chǎn)品與技術(shù),為企業(yè)樹立品牌形象,促進貿(mào)易合作、市場開發(fā),引領(lǐng)行業(yè)趨勢,加強生產(chǎn)、研發(fā)、銷售互動,深入洞悉半導體市場未來發(fā)展新風向,以發(fā)展的眼光挖掘未來半導體市場的新需求,創(chuàng)新展會內(nèi)涵,全方位、多層次組織專業(yè)觀眾,為參展企業(yè)和參會客商提供了一個技術(shù)交流、產(chǎn)品展示和貿(mào)易洽談的平臺。期待通過這樣的展覽會議和產(chǎn)業(yè)聯(lián)動,為整體產(chǎn)業(yè)鏈帶來突破。讓參與展會的產(chǎn)品供應(yīng)商、設(shè)備提供商、產(chǎn)品制造商、終端消費生產(chǎn)商及風投、咨詢機構(gòu)一起,以上海國際半導體行業(yè)展會作為一個有效的技術(shù)溝通、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化交流的平臺,進行精彩互動。

        我們誠摯地邀請您,共促盛會,共享商機,共謀未來。望閣下能安排時間,屆時蒞臨。歡迎您光臨參加本屆展覽會。

        參展范圍

        1、IC設(shè)計、芯片展區(qū):

        IC及相關(guān)電子產(chǎn)品設(shè)計、人工智能芯片、電源管理芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片、5G通信芯片及方案、汽車電子芯片、安全控制芯片、數(shù)模混合通訊射頻芯片、存儲芯片、LED照明及顯示驅(qū)動類芯片等

        2、晶圓制造及封裝展區(qū):

        晶圓制造、SiP先進封裝、OSATs、EMS、OEMs、IDM、硅晶圓及IC封裝載板、印制電路板、封裝基板和設(shè)備及組裝和測試等、封裝設(shè)計、測試、設(shè)備與應(yīng)用制造與測與封測、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板半導體材料與設(shè)備等

        3、半導體設(shè)備展區(qū):

        減薄機、單晶爐、研磨機、熱處理設(shè)備、光刻機、刻蝕機、離子注入設(shè)備、CVD/PVD設(shè)備、固晶機、等離子清洗設(shè)備、切割機、裝片機、鍵合機、焊線機、回流焊、波峰焊、測試機、分選機、耦合機、載帶成型機、檢測設(shè)備、恒溫恒濕試驗箱、傳感器、封裝模具、測試治具、精密滑臺、步進電機、閥門、探針臺、潔凈室設(shè)備、水處理等

        4、第三代半導體展區(qū):

        第三代半導體碳化硅SiC、氮化鎵GaN、晶圓、襯底、封裝、測試、光電子器件(發(fā)光二極管LED、激光器LD、探測器紫外)、電力電子器件(二極管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD. HEMT 等)、微波射頻器件(HEMT、MMIC)等

        5、半導體材料展區(qū):

        硅晶圓、硅晶片、光刻膠、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、CMP拋光材料、光阻材料、濕電子化學品、濺射靶材、封測材料、切片、磨片、拋光片、薄膜等

        第一代半導體材料:鍺、硅等單晶半導體材料,硅擁有1.1eV的禁帶寬度以及氧化后非常穩(wěn)定的特性。

        第二代半導體材料:砷化鎵、銻化銦等化合物半導體材料,砷化鎵擁有1.4電子伏特的禁帶寬度以及比硅高五倍的電子遷移率。

        第三代半導體材料:以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料,前者多用于高壓場合如智能電網(wǎng)、軌道交通;后者則在高頻領(lǐng)域有更大的應(yīng)用(5G等),有更高飽和漂移速度和更高的臨界擊穿電壓等突出優(yōu)點,可以滿足現(xiàn)代社會對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求,且其擁有體積小、污染少、運行損耗低等經(jīng)濟和環(huán)保效益,因此第三代半導體材料正逐步成為發(fā)展的重心,成為功率半導體器件行業(yè)的新戰(zhàn)場。

        參展提示 :

        1.索取參展報名表認真填寫《參展申請及合約》表并加蓋公章回傳至組委會。

        2.參展商申請展位后請在3個工作日內(nèi)將展位費用電匯到大會的指定帳號,匯款后將匯款底單回傳至組委會以便核查;如在規(guī)定時間內(nèi)未能及時付款,組委會將不保留原定展位。

        3.展位順序分配原則:“先申請,先付款,先安排”。

        4.為了保證大會整體形象,組委會保留調(diào)整部分參展商展位的最終權(quán)力。

        組委會聯(lián)系方式:

        電 話:130 2313 0305

        QQ:2521***登錄可見***(請說參加深圳半導體展)

        E-mail:2521***登錄可見***@qq.com

        聯(lián)系人:劉 毅



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